更新時(shí)間:2023-08-17
InGaAs 四象限探測(cè)器 我司四象限探測(cè)器是集成了四路信號(hào)放大器,可以提供四路的模擬電壓輸出。增益值可以進(jìn)行調(diào)節(jié),從高探測(cè)率低頻率測(cè)量到低增益寬帶寬,詳細(xì)指標(biāo)參照產(chǎn)品具體信息。
我司有多種四象限探測(cè)器,包括用在紫外波段的硅探測(cè)器和用在紅外波段的銦鎵砷探測(cè)器,這些探測(cè)器是在一塊芯片上封裝了四個(gè)單獨(dú)的感光面(四個(gè)獨(dú)立的陽極共用一個(gè)陰極),這類探測(cè)器接收光信號(hào)時(shí)可以在中心位置接收到強(qiáng)的信號(hào),因?yàn)槊恳粋€(gè)單獨(dú)光敏面類似于一個(gè)單獨(dú)的探測(cè)器可以接收不同電壓的寬光譜或者接收一個(gè)比較寬范圍的電信號(hào),和一些非PSD探測(cè)器不同需要有高電壓和穩(wěn)定的頻率;NEP值和探測(cè)率、線寬之間的轉(zhuǎn)換可以通過四個(gè)象限的電信號(hào)處理來保證性能。
用四象限探測(cè)器作為定位傳感器是有一些復(fù)雜,但是兩維的定位傳感是可行的方式,只要光束能夠覆蓋在四個(gè)光敏面上。一旦在某一個(gè)光敏面上有光信號(hào)就可以以幾何形式被檢測(cè)到,當(dāng)然終的結(jié)果是和光斑大小和形狀有關(guān)系;如果光斑很小只能在某一個(gè)光敏面上顯示那么整個(gè)定位信息就不會(huì)準(zhǔn)確。
橫向偏移二分之一光斑的時(shí)候就會(huì)出現(xiàn)這種情況。所以光斑大小和探測(cè)器大小之間的匹配就很關(guān)鍵。其他需要考慮的就是光束的位置、象元間距和雜散光的處理。
需要說明的是我司InGaAs 四象限探測(cè)器是集成了四路信號(hào)放大器,可以提供四路的模擬電壓輸出。增益值可以進(jìn)行調(diào)節(jié),從高探測(cè)率低頻率測(cè)量到低增益寬帶寬,詳細(xì)指標(biāo)參照產(chǎn)品具體信息。
InGaAs 四象限探測(cè)器指標(biāo):
型號(hào) | LD-InGaAs-010-QD | LD-InGaAs-020-QD | LD-InGaAs-030-QD |
Active Diameter (mm) ,Overall | 1.0 | 2.0 | 3.0 |
Operating Wavelength(μm) | 1.0-1.7 | 1.0-1.7 | 1.0-1.7 |
Shunt Resistance(Ω) (Each Quadrant) | >100M | >60M | >30M |
Shunt Capacitance (pF) (Each Quadrant) | 40typ | 100typ | 200typ |
Element Spacing | <35 microns | <100 microns | 20micronstyp;45 microns max |
Responsivity @1.3μm (A/W) | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
Crosstalk | <1% | <1% | <1% |